Ostaa DMT8012LFG-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMT8012LFG-13
- Osa numero:
- DMT8012LFG-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18340 Pieces
- Tietolomake:
- DMT8012LFG-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMT8012LFG-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMT8012LFG-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PowerDI3333-8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 12A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.2W (Ta), 30W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMT8012LFG-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1949pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Ta), 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMT8012LFG-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8 | tiedustelu |
 |
MCH6337-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 | tiedustelu |
 |
DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 | tiedustelu |
 |
DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 | tiedustelu |
 |
NP109N04PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 | tiedustelu |
 |
TK20N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | tiedustelu |
 |
DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | tiedustelu |
 |
DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6 | tiedustelu |
 |
PMXB350UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN | tiedustelu |
 |
AO6424 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP | tiedustelu |
 |
SUD08P06-155L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog