DMT8012LK3-13
DMT8012LK3-13
Osa numero:
DMT8012LK3-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12619 Pieces
Tietolomake:
DMT8012LK3-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMT8012LK3-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMT8012LK3-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMT8012LK3-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:17 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.7W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:DMT8012LK3-13DITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DMT8012LK3-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1949pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:44A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit