DTC114EBT2L
DTC114EBT2L
Osa numero:
DTC114EBT2L
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17910 Pieces
Tietolomake:
DTC114EBT2L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DTC114EBT2L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DTC114EBT2L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DTC114EBT2L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:VMN3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):10k
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:150mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-923F
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:DTC114EBT2L
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMN3
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit