DTC123JCAT116
DTC123JCAT116
Osa numero:
DTC123JCAT116
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18648 Pieces
Tietolomake:
DTC123JCAT116.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DTC123JCAT116, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DTC123JCAT116 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DTC123JCAT116 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SST3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:DTC123JCAT116TR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:DTC123JCAT116
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
Kuvaus:NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit