Ostaa DTC123JEBTL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | EMT3F (SOT-416FL) |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 47k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 2.2k |
Virta - Max: | 150mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SC-89, SOT-490 |
Muut nimet: | DTC123JEBTL-ND DTC123JEBTLTR |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
Valmistajan osanumero: | DTC123JEBTL |
Taajuus - Siirtyminen: | 250MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL) |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |