Ostaa EFC8811R-TF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
EFC8811R-TF
- Osa numero:
- EFC8811R-TF
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 6CSP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13565 Pieces
- Tietolomake:
- EFC8811R-TF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä EFC8811R-TF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EFC8811R-TF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 6-CSP (1.77x3.54) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Virta - Max: | 2.5W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-SMD, No Lead |
| Muut nimet: | EFC8811R-TF-ND EFC8811R-TFOSTR |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 7 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | EFC8811R-TF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | - |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 6CSP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat EFC8811R-TF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FDMS3660AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN | tiedustelu |
 |
SI6975DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
FDS6898AZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | tiedustelu |
 |
FDC6320C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 25V SSOT6 | tiedustelu |
 |
RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | tiedustelu |
 |
IRF7389TR | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | tiedustelu |
 |
CTLDM7120-M832DS TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 20V 1A | tiedustelu |
|
BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
NTJD4105CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 | tiedustelu |
 |
QH8MA2TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 | tiedustelu |
 |
ALD110802PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP | tiedustelu |
|
IRF7350TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog