Ostaa EPC2105ENGRT BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
EPC2105ENGRT
- Osa numero:
- EPC2105ENGRT
- Valmistaja:
- EPC
- Kuvaus:
- MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18633 Pieces
- Tietolomake:
- EPC2105ENGRT.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä EPC2105ENGRT, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EPC2105ENGRT sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | Die |
| Sarja: | eGaN® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Virta - Max: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | Die |
| Muut nimet: | 917-EPC2105ENGRTR |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | EPC2105ENGRT |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Ominaisuus: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A Surface Mount Die |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
| Kuvaus: | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat EPC2105ENGRT
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE | tiedustelu |
 |
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE | tiedustelu |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | tiedustelu |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | tiedustelu |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | tiedustelu |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog