FDAF59N30
FDAF59N30
Osa numero:
FDAF59N30
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17121 Pieces
Tietolomake:
FDAF59N30.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDAF59N30, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDAF59N30 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDAF59N30 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3PF
Sarja:UniFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:56 mOhm @ 17A, 10V
Tehonkulutus (Max):161W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SC-94
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FDAF59N30
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4670pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 300V 34A (Tc) 161W (Tc) Through Hole TO-3PF
Valua lähde jännite (Vdss):300V
Kuvaus:MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit