FDB86102LZ
FDB86102LZ
Osa numero:
FDB86102LZ
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18157 Pieces
Tietolomake:
FDB86102LZ.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDB86102LZ, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDB86102LZ sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDB86102LZ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 8.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.1W (Ta)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FDB86102LZDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FDB86102LZ
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1275pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta), 30A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit