FDB86366_F085
FDB86366_F085
Osa numero:
FDB86366_F085
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14465 Pieces
Tietolomake:
FDB86366_F085.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDB86366_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDB86366_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDB86366_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.6 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):176W (Tj)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:FDB86366_F085
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6280pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit