FDD1600N10ALZD
FDD1600N10ALZD
Osa numero:
FDD1600N10ALZD
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16146 Pieces
Tietolomake:
FDD1600N10ALZD.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDD1600N10ALZD, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDD1600N10ALZD sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDD1600N10ALZD BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252, (D-Pak)
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 3.4A, 10V
Tehonkulutus (Max):14.9W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Muut nimet:FDD1600N10ALZD-ND
FDD1600N10ALZDTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FDD1600N10ALZD
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:3.61nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit