Ostaa FDP13AN06A0 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
Sarja: | PowerTrench® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 13.5 mOhm @ 62A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 115W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | FDP13AN06A0 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10.9A (Ta), 62A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |