FJV3109RMTF
Osa numero:
FJV3109RMTF
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17475 Pieces
Tietolomake:
1.FJV3109RMTF.pdf2.FJV3109RMTF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FJV3109RMTF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FJV3109RMTF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FJV3109RMTF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FJV3109RMTF
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit