Ostaa FJV3112RMTF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 40V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | - |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 47k |
Virta - Max: | 200mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | FJV3112RMTF |
Taajuus - Siirtyminen: | 250MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |