Ostaa FQB22P10TM_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D²PAK (TO-263AB) |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101, QFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 11A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.75W (Ta), 125W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | FQB22P10TM_F085TR FQB22P10TMF085 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
Valmistajan osanumero: | FQB22P10TM_F085 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 100V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
Email: | [email protected] |