FQB55N10TM
FQB55N10TM
Osa numero:
FQB55N10TM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17539 Pieces
Tietolomake:
FQB55N10TM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQB55N10TM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQB55N10TM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQB55N10TM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 27.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.75W (Ta), 155W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FQB55N10TMTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:FQB55N10TM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:55A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit