Ostaa STQ1NC45R-AP BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
Sarja: | SuperMESH™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Käyttölämpötila: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
Valmistajan osanumero: | STQ1NC45R-AP |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 160pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 450V 500mA (Tc) 3.1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 450V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Tc) |
Email: | [email protected] |