Ostaa FQD20N06LTM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FQD20N06LTM
- Osa numero:
- FQD20N06LTM
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16924 Pieces
- Tietolomake:
- 1.FQD20N06LTM.pdf2.FQD20N06LTM.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FQD20N06LTM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQD20N06LTM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D-Pak |
| Sarja: | QFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 8.6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | FQD20N06LTM |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 630pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 17.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FQD20N06LTM
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD12P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | tiedustelu |
 |
PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | tiedustelu |
|
FQD20N06LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK | tiedustelu |
|
FQD20N06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | tiedustelu |
|
FQD20N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | tiedustelu |
 |
SIA427ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70 | tiedustelu |
|
FDD306P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK | tiedustelu |
|
FQD20N06LETM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK | tiedustelu |
 |
EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
BUK7210-55B/C1,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V DPAK | tiedustelu |
|
HUF76629D3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK | tiedustelu |
 |
IPI80P04P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO262-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog