Ostaa SIA427ADJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±5V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® SC-70-6 |
Muut nimet: | SIA427ADJ-T1-GE3-ND SIA427ADJ-T1-GE3TR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SIA427ADJ-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2300pF @ 4V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 8V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |