FQPF33N10L
FQPF33N10L
Osa numero:
FQPF33N10L
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12674 Pieces
Tietolomake:
FQPF33N10L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQPF33N10L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQPF33N10L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQPF33N10L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220F
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 9A, 10V
Tehonkulutus (Max):41W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Muut nimet:FQPF33N10L-ND
FQPF33N10LFS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FQPF33N10L
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1630pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit