Ostaa FQPF3N80CYDTU BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Sarja: | QFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 39W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | FQPF3N80CYDTU |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 705pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.5nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
Email: | [email protected] |