Ostaa FQPF4N20L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220F |
Sarja: | QFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.35 Ohm @ 1.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 27W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | FQPF4N20L |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 310pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.2nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 3A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220F |
Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 3A TO-220F |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
Email: | [email protected] |