Ostaa FQPF4N90CT BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220F |
Sarja: | QFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.2 Ohm @ 2A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 47W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 28 Weeks |
Valmistajan osanumero: | FQPF4N90CT |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 960pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 900V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 900V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 900V 4A |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |