FQU10N20TU_AM002
FQU10N20TU_AM002
Osa numero:
FQU10N20TU_AM002
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13617 Pieces
Tietolomake:
FQU10N20TU_AM002.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQU10N20TU_AM002, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQU10N20TU_AM002 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQU10N20TU_AM002 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 3.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 51W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FQU10N20TU_AM002
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:670pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit