Ostaa FQU10N20TU_AM002 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FQU10N20TU_AM002
- Osa numero:
- FQU10N20TU_AM002
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13617 Pieces
- Tietolomake:
- FQU10N20TU_AM002.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FQU10N20TU_AM002, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQU10N20TU_AM002 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-Pak |
| Sarja: | QFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Käyttölämpötila: | - |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | FQU10N20TU_AM002 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 670pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FQU10N20TU_AM002
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
CPC3703CTR | IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 | tiedustelu |
 |
FQU10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK | tiedustelu |
 |
STD150NH02L-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 150A IPAK | tiedustelu |
|
FQU10N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | tiedustelu |
|
FQU10N20TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | tiedustelu |
 |
SI4660DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
FCPF20N60T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F | tiedustelu |
|
SQ4401EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 17.3A | tiedustelu |
 |
STI22NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK | tiedustelu |
 |
GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | tiedustelu |
|
SI4442DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
RJK0349DSP-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP | tiedustelu |
 |
IPD50R2K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog