FQU8P10TU
FQU8P10TU
Osa numero:
FQU8P10TU
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12715 Pieces
Tietolomake:
FQU8P10TU.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQU8P10TU, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQU8P10TU sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQU8P10TU BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:530 mOhm @ 3.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 44W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:FQU8P10TU
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 100V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-Pak
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit