GP1M004A090FH
GP1M004A090FH
Osa numero:
GP1M004A090FH
Valmistaja:
Global Power Technologies Group
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12244 Pieces
Tietolomake:
GP1M004A090FH.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä GP1M004A090FH, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma GP1M004A090FH sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa GP1M004A090FH BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220F
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):38.7W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:GP1M004A090FH
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:955pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 900V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220F
Valua lähde jännite (Vdss):900V
Kuvaus:MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit