GP1M005A040PG
GP1M005A040PG
Osa numero:
GP1M005A040PG
Valmistaja:
Global Power Technologies Group
Kuvaus:
MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18011 Pieces
Tietolomake:
GP1M005A040PG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä GP1M005A040PG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma GP1M005A040PG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa GP1M005A040PG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.6 Ohm @ 1.7A, 10V
Tehonkulutus (Max):50W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:GP1M005A040PG
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:522pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.1nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 400V 3.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):400V
Kuvaus:MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.4A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit