HUFA75429D3ST
HUFA75429D3ST
Osa numero:
HUFA75429D3ST
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15238 Pieces
Tietolomake:
HUFA75429D3ST.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HUFA75429D3ST, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HUFA75429D3ST sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HUFA75429D3ST BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D-Pak
Sarja:UltraFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):125W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:HUFA75429D3ST
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1090pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 20V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 20A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit