IPA180N10N3GXKSA1
IPA180N10N3GXKSA1
Osa numero:
IPA180N10N3GXKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14449 Pieces
Tietolomake:
IPA180N10N3GXKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPA180N10N3GXKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPA180N10N3GXKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPA180N10N3GXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 35µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO220FP
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 28A, 10V
Tehonkulutus (Max):30W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Muut nimet:IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPA180N10N3GXKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220FP
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit