Ostaa IPAW60R180P7SXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPAW60R180P7SXKSA1
- Osa numero:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 650V 18A TO220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19744 Pieces
- Tietolomake:
- IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPAW60R180P7SXKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPAW60R180P7SXKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 280µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO220 Full Pack |
| Sarja: | CoolMOS™ P7 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 26W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
| Muut nimet: | SP001606072 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPAW60R180P7SXKSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1081pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPAW60R180P7SXKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 | tiedustelu |
 |
IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | tiedustelu |
 |
IRFS4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | tiedustelu |
 |
SI2309DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 | tiedustelu |
 |
IRFR9020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | tiedustelu |
 |
MTP2P50E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 500V 2A TO-220AB | tiedustelu |
|
IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | tiedustelu |
|
IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | tiedustelu |
 |
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | tiedustelu |
|
IPAW60R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | tiedustelu |
|
IXTP32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-220 | tiedustelu |
|
MMIX1T600N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 600A SMPD | tiedustelu |
 |
EKI04027 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 | tiedustelu |
|
IPB14N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog