IPB020N04N G
IPB020N04N G
Osa numero:
IPB020N04N G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19670 Pieces
Tietolomake:
IPB020N04N G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB020N04N G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB020N04N G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB020N04N G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 95µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-7-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:2 mOhm @ 100A, 10V
Tehonkulutus (Max):167W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Muut nimet:IPB020N04N GDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPB020N04N G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9700pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 140A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:140A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit