IPB027N10N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
Osa numero:
IPB027N10N5ATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16811 Pieces
Tietolomake:
1.IPB027N10N5ATMA1.pdf2.IPB027N10N5ATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB027N10N5ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB027N10N5ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB027N10N5ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.8V @ 184µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.7 mOhm @ 100A, 10V
Tehonkulutus (Max):250W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:IPB027N10N5ATMA1DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPB027N10N5ATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:10300pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:139nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit