Ostaa IPB65R110CFD BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1.3mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO263 |
Sarja: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 277.8W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | IPB65R110CFD-ND IPB65R110CFDATMA1 SP000896400 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPB65R110CFD |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |