IPB65R280E6ATMA1
IPB65R280E6ATMA1
Osa numero:
IPB65R280E6ATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH TO263-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17404 Pieces
Tietolomake:
IPB65R280E6ATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB65R280E6ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB65R280E6ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB65R280E6ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 440µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263
Sarja:CoolMOS™ E6
RDS (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 4.4A, 10V
Tehonkulutus (Max):104W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SP000795274
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPB65R280E6ATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH TO263-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:13.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit