Ostaa IPB70N10S3L12ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB70N10S3L12ATMA1
- Osa numero:
- IPB70N10S3L12ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19769 Pieces
- Tietolomake:
- IPB70N10S3L12ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB70N10S3L12ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB70N10S3L12ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 83µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 11.8 mOhm @ 70A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IPB70N10S3L-12 IPB70N10S3L-12-ND SP000379631 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPB70N10S3L12ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5550pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB70N10S3L12ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | tiedustelu |
 |
IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | tiedustelu |
 |
SIHD5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | tiedustelu |
|
IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | tiedustelu |
 |
STP35NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 | tiedustelu |
|
IPB70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | tiedustelu |
 |
IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | tiedustelu |
|
IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | tiedustelu |
 |
AOL1404 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO | tiedustelu |
|
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | tiedustelu |
 |
STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK | tiedustelu |
|
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | tiedustelu |
 |
IXTP36N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 36A TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog