SIHD5N50D-GE3
SIHD5N50D-GE3
Osa numero:
SIHD5N50D-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15060 Pieces
Tietolomake:
SIHD5N50D-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHD5N50D-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHD5N50D-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHD5N50D-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252AA
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):104W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHD5N50D-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit