Ostaa IPD031N03LGBTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPD031N03LGBTMA1
- Osa numero:
- IPD031N03LGBTMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13079 Pieces
- Tietolomake:
- IPD031N03LGBTMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPD031N03LGBTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD031N03LGBTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 94W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | SP000236957 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPD031N03LGBTMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5300pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 51nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPD031N03LGBTMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD03N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO-252 | tiedustelu |
|
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD031N03M G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD036N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | tiedustelu |
 |
DMN601WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 | tiedustelu |
|
IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | tiedustelu |
 |
AON6240 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 40V 27A 8DFN | tiedustelu |
|
IPD038N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD038N04NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD03N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 90A TO-252 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog