IPD035N06L3GATMA1
IPD035N06L3GATMA1
Osa numero:
IPD035N06L3GATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16538 Pieces
Tietolomake:
IPD035N06L3GATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD035N06L3GATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD035N06L3GATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD035N06L3GATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 93µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 90A, 10V
Tehonkulutus (Max):167W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD035N06L3 G
IPD035N06L3 G-ND
IPD035N06L3 GTR-ND
IPD035N06L3G
SP000398066
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPD035N06L3GATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:79nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit