Ostaa IPD053N06N3GBTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPD053N06N3GBTMA1
- Osa numero:
- IPD053N06N3GBTMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19149 Pieces
- Tietolomake:
- IPD053N06N3GBTMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPD053N06N3GBTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD053N06N3GBTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 58µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 115W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IPD053N06N3 G IPD053N06N3 G-ND IPD053N06N3 GTR-ND SP000453318 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPD053N06N3GBTMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6600pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 82nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPD053N06N3GBTMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | tiedustelu |
 |
IXTT88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 | tiedustelu |
 |
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | tiedustelu |
 |
ZXMP6A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH SOT223 | tiedustelu |
 |
SI4435DY | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
NVD5413NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK | tiedustelu |
|
IPD05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | tiedustelu |
 |
IRF1010NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | tiedustelu |
|
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | tiedustelu |
 |
IXTF230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers