Ostaa IPD053N08N3GATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPD053N08N3GATMA1
- Osa numero:
- IPD053N08N3GATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12065 Pieces
- Tietolomake:
- IPD053N08N3GATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPD053N08N3GATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD053N08N3GATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 150W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IPD053N08N3GATMA1-ND IPD053N08N3GATMA1TR SP001127818 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPD053N08N3GATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4750pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPD053N08N3GATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | tiedustelu |
|
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | tiedustelu |
|
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | tiedustelu |
 |
FQD13N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK | tiedustelu |
|
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | tiedustelu |
 |
IRFBC40ASTRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | tiedustelu |
 |
DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO252 | tiedustelu |
 |
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | tiedustelu |
 |
TK12V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN | tiedustelu |
|
SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog