IPD250N06N3GBTMA1
IPD250N06N3GBTMA1
Osa numero:
IPD250N06N3GBTMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12224 Pieces
Tietolomake:
IPD250N06N3GBTMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD250N06N3GBTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD250N06N3GBTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD250N06N3GBTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 11µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 28A, 10V
Tehonkulutus (Max):36W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD250N06N3 G
IPD250N06N3 G-ND
IPD250N06N3 GTR-ND
IPD250N06N3G
SP000453634
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPD250N06N3GBTMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 28A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit