Ostaa IPD25N06S4L30ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPD25N06S4L30ATMA1
- Osa numero:
- IPD25N06S4L30ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15750 Pieces
- Tietolomake:
- IPD25N06S4L30ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPD25N06S4L30ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD25N06S4L30ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 8µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3-11 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 29W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IPD25N06S4L-30 IPD25N06S4L-30-ND IPD25N06S4L-30TR IPD25N06S4L-30TR-ND SP000481508 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPD25N06S4L30ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1220pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.3nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPD25N06S4L30ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD25CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD25N06S240ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD250N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD25N06S240ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | tiedustelu |
 |
NTD18N06L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | tiedustelu |
 |
IXFH18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | tiedustelu |
 |
IPP057N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | tiedustelu |
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 | tiedustelu |
 |
IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog