IPD50P03P4L11ATMA1
IPD50P03P4L11ATMA1
Osa numero:
IPD50P03P4L11ATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14227 Pieces
Tietolomake:
IPD50P03P4L11ATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD50P03P4L11ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD50P03P4L11ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD50P03P4L11ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 85µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):58W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:26 Weeks
Valmistajan osanumero:IPD50P03P4L11ATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3770pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit