Ostaa IPD50R950CE BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 100µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
Sarja: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
Tehonkulutus (Max): | 34W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IPD50R950CEBTMA1 IPD50R950CEINTR SP000992070 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan osanumero: | IPD50R950CE |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 231pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | Super Junction |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |