IPD60R380E6ATMA2
IPD60R380E6ATMA2
Osa numero:
IPD60R380E6ATMA2
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Ei sovelleta / Ei sovelleta
Saatavana oleva määrä:
14278 Pieces
Tietolomake:
IPD60R380E6ATMA2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD60R380E6ATMA2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD60R380E6ATMA2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD60R380E6ATMA2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 300µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:CoolMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 3.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):83W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Valmistajan osanumero:IPD60R380E6ATMA2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Super Junction
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit