Ostaa IPD60R385CPATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPD60R385CPATMA1
- Osa numero:
- IPD60R385CPATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18411 Pieces
- Tietolomake:
- IPD60R385CPATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPD60R385CPATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD60R385CPATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 340µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
| Sarja: | CoolMOS™ CP |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 385 mOhm @ 5.2A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 83W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IPD60R385CPATMA1TR SP000680638 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPD60R385CPATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPD60R385CPATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R450E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 | tiedustelu |
|
IPD60R385CPBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 | tiedustelu |
|
IPD60R380P6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3TO252 | tiedustelu |
|
IPD60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 | tiedustelu |
|
IPD60R380E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 | tiedustelu |
 |
IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | tiedustelu |
 |
IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | tiedustelu |
|
IPD60R380E6ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 | tiedustelu |
|
IPD60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | tiedustelu |
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD60R3K3C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog