Ostaa IPDH6N03LAG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 30µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 71W (Tc) |
Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IPDH6N03LAGINCT IPDH6N03LAGXTINCT IPDH6N03LAGXTINCT-ND |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IPDH6N03LAG |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2390pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 25V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |