IPI032N06N3GAKSA1
IPI032N06N3GAKSA1
Osa numero:
IPI032N06N3GAKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 120A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13028 Pieces
Tietolomake:
IPI032N06N3GAKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPI032N06N3GAKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPI032N06N3GAKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPI032N06N3GAKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 118µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO262-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 100A, 10V
Tehonkulutus (Max):188W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:SP000680650
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPI032N06N3GAKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 120A
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit