IPI037N08N3GHKSA1
IPI037N08N3GHKSA1
Osa numero:
IPI037N08N3GHKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18973 Pieces
Tietolomake:
IPI037N08N3GHKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPI037N08N3GHKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPI037N08N3GHKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPI037N08N3GHKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 155µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO262-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.75 mOhm @ 100A, 10V
Tehonkulutus (Max):214W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:IPI037N08N3 G
IPI037N08N3 G-ND
SP000454278
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPI037N08N3GHKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:8110pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:117nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit