Ostaa IPI057N08N3 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPI057N08N3 G
- Osa numero:
- IPI057N08N3 G
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14573 Pieces
- Tietolomake:
- IPI057N08N3 G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPI057N08N3 G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPI057N08N3 G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO262-3 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 150W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | SP000395182 SP000680662 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPI057N08N3 G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4750pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPI057N08N3 G
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog